飛行時間二次離子質譜是一種非常靈敏的表面分析技術，通過用一次離子激發(fā)樣品表面，打出極其微量的二次離子，根據二次離子因不同的質量而飛行到探測器的時間不同來測定離子質量，具有高分辨率的測量技術。

   飛行時間二次離子質譜可以廣泛應用于物理，化學，微電子，生物，制藥，空間分析等工業(yè)和研究方面，可以提供表面，薄膜，界面以至于三維樣品的元素、分子等結構信息，其特點在二次離子來自表面單個原子層分子層（1nm以內），僅帶出表面的化 學信息，具有分析區(qū)域小、分析深度淺和不破壞樣品的特點，廣泛應用于物理，化學，微電子，生物，制藥，空間分析等工業(yè)和研究方面。

   當產品表面膜層太薄，無法使用常規(guī)測試進行成分分析，可進行分析，利用可定性分析膜層的成分。當產品表面出現異物，但是未能確定異物的種類，利用成分分析，不僅可以分析出異物所含元素，還可以分析出異物的分子式，包括有機物分子式。當膜層與基材截面出現分層等問題，但是未能觀察到明顯的異物痕跡，可使用分析表面痕量物質成分，以確定截面是否存在外來污染，檢出限高達ppm級別。

   取樣的時候避免手和取樣工具接觸到需要測試的位置，取下樣品后使用真空包裝或其他能隔離外界環(huán)境的包裝， 避免外來污染影響分析結果。飛行時間二次離子質譜測試的樣品不受導電性的限制，絕緣的樣品也可以測試。飛行時間二次離子質譜采用一次離子轟擊固體材料表面，產生二次離子，并根據二次離子的質荷比探測材料的成分和結構。相對于XPS、AES等表面分析方法，飛行時間二次離子質譜可以分析包括氫在內的所有元素，可以分析包括有機大 分子在內的化合物，具有更高的分辨率。