磁控濺射鍍膜機(jī)是物理氣相沉積的一種。一般的濺射法可被用于制備金屬、半導(dǎo)體、絕緣體等多材料，且具有設(shè)備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，而上世紀(jì)70年代發(fā)展起來的磁控濺射法更是實(shí)現(xiàn)了高速、低溫、低損傷。因?yàn)槭窃诘蜌鈮合逻M(jìn)行高速濺射，必須有效地提高氣體的離化率。磁控濺射通過在靶陰極表面引入磁場，利用磁場對帶電粒子的約束來提高等離子體密度以增加濺射率。
一、原理：
磁控濺射的工作原理是指電子在電場E的作用下，在飛向基片過程中與氬原子發(fā)生碰撞，使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子;新電子飛向基片，Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發(fā)生濺射。磁控濺射鍍膜機(jī)在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產(chǎn)生的二次電子會(huì)受到電場和磁場作用，產(chǎn)生E(電場)×B(磁場)所指的方向漂移，簡稱E×B漂移，其運(yùn)動(dòng)軌跡近似于一條擺線。若為環(huán)形磁場，則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運(yùn)動(dòng)，它們的運(yùn)動(dòng)路徑不僅很長，而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi)，并且在該區(qū)域中電離出大量的Ar 來轟擊靶材，從而實(shí)現(xiàn)了高的沉積速率。隨著碰撞次數(shù)的增加，二次電子的能量消耗殆盡，逐漸遠(yuǎn)離靶表面，并在電場E的作用下zui終沉積在基片上。由于該電子的能量很低，傳遞給基片的能量很小，致使基片溫升較低。
二、技術(shù)規(guī)格特點(diǎn)：
腔體：鋁合金或不銹鋼材料可供客戶選擇，不同尺寸的箱式腔室可選；
泵：分子泵，冷凝泵可選；
Load Lock樣品傳輸腔室：手動(dòng)或自動(dòng)傳輸，高真空，支持多種樣品襯底；
與手套箱兼容；
工藝控制：PC/PLC機(jī)制的自動(dòng)控制，使用GUI進(jìn)行工藝控制、數(shù)據(jù)處理、遠(yuǎn)程支持；
原位監(jiān)控：石英晶振監(jiān)測(QCM)，光學(xué)監(jiān)測，殘余氣體分析，其他原位監(jiān)測技術(shù)或控制；
襯底固定：單襯底固定，多襯底固定，行星式襯底固定，客戶化襯底固定方式；
襯底夾具：加熱，冷卻，偏置，旋轉(zhuǎn)等；
離子源：襯底預(yù)先清洗輔助沉積，納米尺度表面修飾；
磁控濺射沉積技術(shù)：射頻(RF)，直流(DC)，脈沖直流(Pulsed-DC)；
靜態(tài)濺射，共濺射，反應(yīng)濺射，在線濺射；
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