深能級瞬態(tài)譜儀通過監(jiān)測半導體結(jié)在不同溫度下的脈沖產(chǎn)生的電容、電流或電荷瞬變，可產(chǎn)生每個深度級別的光譜，每個深能級都有一個峰值。峰的高度與陷阱密度成正比，其符號允許區(qū)分少數(shù)和多數(shù)陷阱，并且溫度軸上的峰的位置導致確定熱發(fā)射和俘獲（活化能和橫截面）的基本參數(shù)，該方法的應(yīng)用導致了新現(xiàn)象的發(fā)現(xiàn)，并為理解半導體器件的材料加工提供了*的工具。

　　儀器是半導體領(lǐng)域研究和檢測半導體雜質(zhì)、缺陷深能級、界面態(tài)等的重要技術(shù)手段，測試根據(jù)半導體P-N結(jié)、金-半接觸結(jié)構(gòu)肖特基結(jié)的瞬態(tài)電容技術(shù)和深能級瞬態(tài)譜的發(fā)射率窗技術(shù)測量出的深能級瞬態(tài)譜，是一種具有高檢測靈敏度的實驗方法，能檢測半導體中微量雜質(zhì)、缺陷的深能級及界面態(tài)。

　　通過對樣品的溫度掃描，給出表征半導體禁帶范圍內(nèi)的雜質(zhì)，集成多種全自動的測量模式及全面的數(shù)據(jù)分析，深能級瞬態(tài)譜儀可以確定雜質(zhì)的類型、含量以及隨深度的分布，也可用于光伏太陽能電池領(lǐng)域中，分析轉(zhuǎn)化效率衰減的關(guān)鍵性雜質(zhì)元素和雜質(zhì)元素的晶格占位，確定是何種摻雜元素和何種元素占位影響少子壽命。

　　凈室和模塊化的系統(tǒng)設(shè)計結(jié)構(gòu)使得本系統(tǒng)可以高效率，準確的測量半導體材料（結(jié)構(gòu)，層）中的摻雜濃度分布，選用合適的電解液與材料接觸，腐蝕，從而得到材料的摻雜濃度分布，電容值電壓掃描和腐蝕過程由軟件全自動控制。