PVD Products 公司提供卷對卷涂層導(dǎo)體 IBAD 沉積系統(tǒng)，用于金屬帶上生長 MgO 或其他類型的緩沖層。利用我們現(xiàn)有的內(nèi)部技術(shù)，我們可以提供以下兩種類型的IBAD系統(tǒng)用于MgO的沉積。 PVD 

Products公司已部署多套卷對卷離子束輔助沉積系統(tǒng)。這些系統(tǒng)已被用于在寬度為4至12毫米的哈斯特洛伊合金或不銹鋼帶上沉積高度取向的氧化鎂（MgO）薄膜。利用配備6 x 22厘米柵格的Veeco

線性離子源，可以以100米/小時(shí)的速度沉積高質(zhì)量材料。若使用6 x 66厘米柵格，則速度可提高3倍。為實(shí)現(xiàn)高吞吐量，采用了多通道卷筒處理技術(shù)，同時(shí)控制帶速和張力。

經(jīng)過現(xiàn)場驗(yàn)證的濺射離子束輔助沉積（IBAD）工具，用于制備具有特定紋理的氧化鎂（MgO），以便后續(xù)沉積稀土錳氧化物（LMO）和釔鋇銅氧（YBCO）。該工具采用穩(wěn)健的射頻濺射技術(shù)，并配備

在線沉積后反射高能電子衍射（RHEED）分析工具。

離子束輔助沉積（IBAD）對于高溫超導(dǎo)（HTS）材料和緩沖層的沉積至關(guān)重要。PVD產(chǎn)品提供完整的IBAD解決方案，結(jié)合蒸發(fā)或?yàn)R射源與低能離子束轟擊，實(shí)現(xiàn)雙軸紋理的顯現(xiàn)。

我們的IBAD-MgO技術(shù)比3° FWHM更優(yōu)，具備可調(diào)諧離子束能量（100-1500 eV）和入射角（40-55°）以實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的紋理演化。

該工藝使得HTS沉積在低成本的柔性金屬基板上，消除了昂貴的單晶或RABiTS基板，同時(shí)保持了高性能。

高溫超導(dǎo)帶材離子束輔助沉積系統(tǒng)（IBAD）技術(shù)優(yōu)勢：

• 異的織構(gòu)控制：IBAD-MgO技術(shù)可實(shí)現(xiàn)優(yōu)于3° FWHM的薄膜取向度。系統(tǒng)配備可調(diào)諧離子源（能量100-1500 eV，入射角40-55°），可精確優(yōu)化工藝參數(shù)以獲得優(yōu)異的雙軸織構(gòu)演化。

• 穩(wěn)健的濺射技術(shù)：采用經(jīng)過驗(yàn)證的射頻（RF）濺射技術(shù)沉積MgO薄膜，工藝穩(wěn)定可靠。

• 在線質(zhì)量監(jiān)控：系統(tǒng)集成了在線沉積后反射高能電子衍射（RHEED）分析工具，可在沉積過程中實(shí)時(shí)監(jiān)測MgO薄膜的表面結(jié)構(gòu)和織構(gòu)形成，為工藝控制和重復(fù)性提供保障。

• 低成本金屬基帶：專為在柔性哈氏合金等金屬基帶上連續(xù)沉積設(shè)計(jì)，無需使用昂貴的單晶基板，明顯降低超導(dǎo)帶材的制造成本。

系統(tǒng)布局

•支撐架上有多個(gè)真空室。包括放線室、沉積室、RHEED室和收線室

•腔室組件將安裝在帶有腳輪和調(diào)平墊的大型支撐架上

•電子機(jī)架將內(nèi)置在機(jī)架中

•兩個(gè)卷軸室

•沉積室

•RHEED分析室將放置在沉積室之后和卷取卷軸之前

卷筒提升機(jī)構(gòu)：

•四套卷軸可容納12毫米寬的膠帶，該系統(tǒng)可容納客戶提供的哈氏合金膠帶。

•這些卷筒的內(nèi)徑為90毫米，外徑為432毫米。

•該系統(tǒng)將包括一個(gè)機(jī)械升降機(jī)，該升降機(jī)由一個(gè)改良的手動絞車起重車組成。

•其設(shè)計(jì)用于固定給定直徑的膠帶卷軸，并允許用戶將整卷膠帶插入放線卷軸室的主軸上。

•它還被設(shè)計(jì)用于從卷取室中移除卷軸。

•這使得卷軸從工作臺轉(zhuǎn)移到系統(tǒng)變得很容易，因?yàn)椴恍枰匦皖^頂提升。

主沉積室和框架組件：

•IBAD沉積室將通過10“CF法蘭直接與放線室相匹配。

•兩個(gè)腔室之間沒有隔離閥。

•該室將由304 SS制成，包括一個(gè)帶氟橡膠O形密封圈的大型鉸鏈門。

•該室寬約1.39 m，深約1.1 m，高約0.857 mm。

•該室將包括多個(gè)端口，以支持兩個(gè)22 x 6 cm的線性RF離子源、一個(gè)水冷靶臺和一個(gè)水冷襯底臺。

•提供了各種CF法蘭端口，用于查看、真空泵送、真空計(jì)等。

•將提供幾個(gè)備用端口。

•所有CF法蘭式端口均配有公制鍍銀螺紋螺栓。

•可拆卸的鋁制檢修板安裝在腔室的后壁上，以便在需要時(shí)為離子源提供方便的服務(wù)。該板通過一個(gè)氟橡膠O形圈和幾個(gè)螺栓進(jìn)行密封。

•腔室將通過粉末涂層CRS支撐框架進(jìn)行支撐，該框架配有腳輪和調(diào)平墊。

•框架將包括電子支架，用于支撐包括配電箱在內(nèi)的所有系統(tǒng)電子設(shè)備。

Veeco 22 x 6 cm RF離子源，用于離子束濺射：

•Veeco 22 x 6 cm射頻離子源將通過一對支架安裝在腔室的上后壁附近。

•支架將能夠?qū)㈦x子源相對于目標(biāo)法線的入射角（AoI）以標(biāo)稱角度45°為中心調(diào)整±2°。

•目標(biāo)傾斜角分辨率為1°。

•該離子源將配備一組三個(gè)會聚的Mo柵格，用于向目標(biāo)提供更高的束流。

•離子源柵格的焦距為18厘米。

•不提供用于將光束移動得更靠近目標(biāo)或更遠(yuǎn)離目標(biāo)的調(diào)整。

•離子源包括一個(gè)單獨(dú)的法蘭安裝的射頻中和器。

•將提供針對20 SCCM Ar校準(zhǔn)的MKS 1179 MFC，以根據(jù)需要運(yùn)行離子源。

•將提供一個(gè)針對20 SCCM Ar校準(zhǔn)的MKS 1179 MFC，以運(yùn)行RF中和器。

•所有MFC都包括氣動截止閥。

•Veeco NOVUS電源將配備所有必要的電纜。NOVUS將操作射頻離子源和射頻中和器。包括一個(gè)射頻電源、匹配網(wǎng)絡(luò)和控制器。

•電源提供50至1500eV的束電壓，束電流高達(dá)350mA。

•包括氣體注入、射頻激勵(lì)和水冷卻所需的所有饋通。

•離子源內(nèi)部設(shè)施可從腔室后壁上的可拆卸面板進(jìn)入。

•離子源將向下引導(dǎo)到Mg靶的中心，結(jié)合到Cu水冷板（由客戶提供的靶）上。

高溫超導(dǎo)帶材離子束輔助沉積系統(tǒng)（IBAD）主要應(yīng)用于高溫超導(dǎo)（HTS）帶材的研發(fā)與中試生產(chǎn)，特別是用于在柔性金屬基帶上沉積具備雙軸織構(gòu)的緩沖層（如MgO、LMO），為后續(xù)YBCO超導(dǎo)層的沉積提供模板。這項(xiàng)技術(shù)是制造第二代高溫超導(dǎo)帶材（涂層導(dǎo)體）的重要環(huán)節(jié)。