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飛行時間二次離子質(zhì)譜2-材料表征 飛行時間二次離子質(zhì)譜是一種靈敏的表面分析技術(shù)，可以廣泛應(yīng)用于物理，化學(xué)，微電子，生物，制藥，空間分析等工業(yè)和研究方面。TOF-SIMS可以提供表面，薄膜，界面以至于三維樣品的元素，分子等結(jié)構(gòu)信息。

深能級瞬態(tài)譜儀2-半導(dǎo)體表征 深能級瞬態(tài)譜儀是半導(dǎo)體領(lǐng)域研究和檢測半導(dǎo)體雜質(zhì)、缺陷深能級、界面態(tài)等的重要技術(shù)手段！測試功能：電容模式、定電容模式、電流模式、（雙關(guān)聯(lián)模式）、光激發(fā)模式、FET分析、MOS分析、等溫瞬態(tài)譜、Trap profiling、俘獲截面測量、I/V,I/V（T） 、C/V, C/V（T） 、TSC/TSCAP 、光子誘導(dǎo)瞬態(tài)譜、DLOS。

深能級瞬態(tài)譜儀-半導(dǎo)體表征 半導(dǎo)體領(lǐng)域研究和檢測半導(dǎo)體雜質(zhì)、缺陷深能級、界面態(tài)等的重要技術(shù)手段。根據(jù)半導(dǎo)體P-N 結(jié)、金－半接觸結(jié)構(gòu)肖特基結(jié)的瞬態(tài)電容（△C～t）技術(shù)和深能級瞬態(tài)譜（DLTS）的發(fā)射率窗技術(shù)測量出的深能級瞬態(tài)譜

英國KP開爾文探針掃描-半導(dǎo)體表征 英國KP開爾文探針掃描是一種非接觸無損震蕩電容裝置，用于測量導(dǎo)體材料的功函數(shù)（Work Function）或半導(dǎo)體、絕緣表面的表面勢（Surface Potential）。材料表面的功函數(shù)通常由Z上層的1-3層原子或分子決定，所以開爾文探針是一種Z靈敏的表面分析技術(shù)。

開爾文探針掃描系統(tǒng)-半導(dǎo)體表征 開爾文探針掃描系統(tǒng)是一種非接觸無損震蕩電容裝置，用于測量導(dǎo)體材料的功函數(shù)(Work Function)或半導(dǎo)體、絕緣表面的表面勢(Surface Potential)。材料表面的功函數(shù)通常由Z上層的1-3層原子或分子決定，所以開爾文探針是一種Z靈敏的表面分析技術(shù)。

飛行時間二次離子質(zhì)譜-材料表征 飛行時間二次離子質(zhì)譜是一種非常靈敏的表面分析技術(shù)?？梢詮V泛應(yīng)用于物理，化學(xué)，微電子，生物，制藥，空間分析等工業(yè)和研究方面。TOF-SIMS可以提供表面，薄膜，界面以至于三維樣品的元素，分子等結(jié)構(gòu)信息。

俄歇電子能譜及低能電子衍射分析系統(tǒng)，又稱俄歇電子能譜AES及低能電子衍射LEED樣品表面深度分析系統(tǒng)。

高通量光譜成像系統(tǒng)：高靈敏度 sCMOS 成像傳感器能夠?qū)Φ挽`敏度樣品進行高速圖像采集，高分辨率光譜能夠以亞 1 nm 的分辨率采集大約 500 nm 波段。