高性能霍爾效應(yīng)測(cè)量系統(tǒng)：

一個(gè)集成的硬件和軟件系統(tǒng)，旨在測(cè)量和分析樣品的電子特性。 該系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供了在高達(dá) 2.5 特斯拉的磁場(chǎng)下進(jìn)行測(cè)量的可能性，并結(jié)合了低溫恒溫器，磁場(chǎng)高達(dá) 16T。 同時(shí)，該系統(tǒng)提供了使用 2 個(gè)不同的溫度測(cè)量頭在 3K-1273K 范圍內(nèi)進(jìn)行測(cè)量的機(jī)會(huì)，同時(shí)它提供了與探頭系統(tǒng)相關(guān)的樣品的簡(jiǎn)單組裝，可以在 3 個(gè)不同的軸上移動(dòng)。 霍爾效應(yīng)測(cè)量系統(tǒng) （HEMS） 設(shè)備 對(duì)半導(dǎo)體、有機(jī)導(dǎo)體和金屬氧化物材料進(jìn)行電氣表征。這些采用納米技術(shù)方法開發(fā)的材料用于芯片技術(shù)的發(fā)展、太陽能電池的開發(fā)、材料科學(xué)的發(fā)展、空間技術(shù)、國防工業(yè)的發(fā)展。

高性能霍爾效應(yīng)測(cè)量系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)

載波移動(dòng)性：10?1 至 10? cm2/Vsec

載流體濃度：高達(dá) 1022/cm3

電阻率：10?? 至 10? 歐姆 cm

低溫 AC-DC 測(cè)量和表征

靜態(tài)插入

• 6 個(gè)霍爾效應(yīng)觸點(diǎn)，4 個(gè)范德堡測(cè)量觸點(diǎn)

• 樣品尺寸：最大 10mm x 10mm

• 多達(dá) 12 個(gè)觸點(diǎn)進(jìn)行采樣

• 29 mm 外徑樣品插件（其他尺寸可選）

• 25 個(gè)備用樣品架

• 測(cè)量電子元件和控制軟件

• 溫度范圍：1-300K

旋轉(zhuǎn)插件（垂直和水平旋轉(zhuǎn)器）

• 旋轉(zhuǎn)：00-3600，分辨率為 0.016

• 樣品尺寸：最大 5mm x 10mm

• 多達(dá) 12 個(gè)觸點(diǎn)進(jìn)行采樣

• 29 mm 外徑樣品插件（其他尺寸可選）

• 25 個(gè)備用樣品架

• 測(cè)量電子元件和控制軟件

• 溫度范圍：1—300K

• KF50 或 KF40 法蘭選項(xiàng)

直流電阻/霍爾效應(yīng)測(cè)量

• 源電流編程范圍：50pA 至 IA •

• 電壓測(cè)量范圍：100mV（100nV 分辨率）至 100V（IOpV 分辨率）

• 溫度范圍：1-300K

交流電阻/霍爾效應(yīng)測(cè)量

• 源電流編程范圍：2nA 至 100mA *

• 頻率范圍：IHz 至 1kHz

• 阻抗 Z（T） 的實(shí)部和虛部

• 電壓噪聲（帶低噪聲電壓前置放大器）：lnVNHz 本底噪聲，1kHz，60dB 增益

交流磁化率測(cè)量

• 樣品尺寸：最大直徑 5 mm

• 交流頻率范圍：IOHz 至 10kHz

• 交流場(chǎng)振幅范圍：2mOe 至 150e

• 靈敏度：2 x 10-7 emu（10kHz 時(shí) 2 x 10 IOAm2）

• 磁化率的實(shí)部和虛部 （T）

• 包括樣品臺(tái)校準(zhǔn)的傳感器/拾取線圈

• 測(cè)量電子元件和控制軟件

• 溫度范圍：1-300K