Q-One型納米級離子注入系統(tǒng)， 優(yōu)良的納米級離子注入平臺

Q-One納米級離子注入系統(tǒng)是一種具有納米級精度的確定性單離子注入的最新工具。這是一種全新的設計，功能*的FIB，能夠以驚人的精度和前所的未有的速度定位單個離子。

Q-One具有許多*的功能，是制造量子器件和優(yōu)良材料工程的優(yōu)良系統(tǒng)。

快速、可擴展的設備制造

Q-One比SPM（掃描探針顯微鏡）技術快許多數(shù)量級，它可以在短短幾秒鐘內產生數(shù)百萬個精確定位的原子陣列。

納米精度

Q-One具有20納米聚焦離子束和1納米光學編碼器的壓電驅動級，提供了最終的精確離子放置。

植入多種元素

液態(tài)金屬離子源和質量過濾柱可選擇和植入40多種不同元素。雙等離子體源也可用于氧和氮摻雜。

雙離子束

高分辨率電子柱可提供高達4nm的詳細成像，用于現(xiàn)場驗證和過程控制。

應用

單離子注入

量子器件制造與研究

納米材料工程

光子系統(tǒng)

存儲設備

成功案例

單離子多物種低能定位項目

作為單離子多物種低能定位項目的一部分， 2018年在英國 Surrey Ion Beam Centre安裝了第一批兩臺同類儀器。

PLATFORM FOR NANOSCALE ADVANCED MATERIALS ENGINEERING

Q-One系統(tǒng)成為英國Henry Royce研究所，納米優(yōu)良材料工程新平臺的核心。